Компания ASUS официально увеличивает поддержку скорости памяти для процессоров Intel Core Ultra 200S до 7200 МТ/с на материнских платах серии 800. Благодаря более высоким скоростям материнские платы ASUS серии 800 обеспечат более высокую пропускную способность и лучшую стабильность.
ASUS повышает скорость памяти, позволяя использовать конфигурацию DDR5 со скоростью до 7200 МТ/с на материнских платах серии 800 для процессоров Intel Core Ultra 200S
Процессоры Core Ultra 200S, также известные как Arrow Lake S, изначально поддерживают стандарт JEDEC 6400 МТ/с. Однако благодаря отличным контроллерам памяти и продуманной конструкции материнской платы процессоры Intel способны значительно превосходить эту частоту.
Однако для достижения более высоких скоростей, чем заявлено, требуются некоторые изменения в BIOS, например, включение профилей XMP/EXPO. Достижение ещё более высоких тактовых частот памяти также возможно, но не всегда гарантировано. Благодаря поддержке XMP 3.0 память DDR5 способна достигать скорости более 6400 МТ/с, но официально Intel не гарантирует более 6400 МТ/с «из коробки».
JEDEC (Объединённый совет по инжинирингу электронных устройств) устанавливает официальные отраслевые стандарты для памяти, но сегодня ASUS гарантирует, что её материнские платы Intel серии 800 будут обеспечивать скорость памяти 7200 МТ/с «из коробки». Это означает, что ASUS может успешно достичь скорости 7200 МТ/с без использования профиля XMP, обеспечивая более высокую пропускную способность, производительность и стабильность работы процессоров Core Ultra 200S «из коробки».
Вероятно, это связано с улучшенной печатной платой, целостностью сигналов и улучшенной подачей питания, что повышает стабильность системы благодаря более высокой скорости оперативной памяти. ASUS продемонстрировала это с помощью CPU-Z, используя бюджетную материнскую плату PRIME Z890-P с процессором Intel Core Ultra 7 265K.
В системе использовался комплект памяти DDR5-7200 объёмом 32 ГБ (2 x 16 ГБ) от Kingston с контроллером памяти, работающим в соотношении 1:2 (1800 МТ/с). Задержки составляли CL58-58-58-115, а память работала при низком напряжении 1,10 В. Поэтому тайминги выглядят немного свободными, но так и бывает, когда хочешь добиться более высокой частоты при низком напряжении.